Простой метод выбора ключевых транзисторов для импульсных источников питания

В первый раз я задался вопросом выбора ключей около 8 лет назад. Куда же я пошел первым делом? В интернет, естественно, ага. В общем и целом могу теперь сказать так: зря я это сделал. Вопрос выбора ключей для импульсной техники в интернете оброс кучей недостоверных фактов, мифов и неправильными интерпретациями графиков в даташитах. Мой способ выбора ключей тоже неидеальный и неполный. Однако в подавляющем большинстве случаев в радиолюбительской практике его окажется достаточно и даже за глаза, сами рады не будете. Начнем!

↑ Процесс выбора транзистора

Теперь, попробуем разобраться с вопросом подбора транзистора. С вопросом максимального напряжение ни у кого не должно возникнуть сомнений. Просто для страховки берем ключ на 200 Вольт больше, чем максимальное действующее напряжение в схеме. Например, в ИИП я советую 600-вольтовые ключи, не ниже.
Вопрос в том, что делать с температурой. Она таки считается! Для теплового расчета надо всего лишь узнать, сколько Ватт потерь получится при работе ключа и как сильно надо его охладить, чтобы не случилось теплового пробоя. Если результат меньше Tj

, то использовать такой транзистор можно. Если больше, увы и ах, но надо выбирать дальше.

Из чего состоит нагревание? Для начала из статических потерь

, связанных с сопротивлением перехода
Rds on
, которое влияет на падение напряжения на переходе, в зависимости от протекающего через ключ тока. Это падение напряжение вызывает выделение мощности на кристалле и нагрев транзистора в открытом состоянии. Считается как произведение квадрата среднего тока импульса
Iимп
на сопротивление перехода
Rds on
и коэффициента заполнения
Кзап
. Последний показывает, какую часть времени транзистор открыт.

В большинстве радиолюбительских конструкции мостовых и полумостовых преобразователей и усилителей Кзап не выше 0.45, а дальнейшее увеличение его не приводит ни к чему особенно хорошему, кроме сильной боли в голове или ж… Так, ладно, со статическими потерями разобрались.

Теперь динамические потери.

Эти потери — основная проблема в преобразователях на полевых транзисторах с жесткой коммутацией ключей. Они возникают в момент включения и выключения ключа. Так сказать, потери на переходных процессах. И чем выше частота преобразования, тем выше динамические потери. А ниже делать частоту тоже не хочется, ведь тогда вырастают размеры трансформатора.

Есть резонансные или квазирезонансные схемы, позволяющие значительно снизить динамические потери, но это уже сложная техника, к которой никак не подходит выражение «простой расчет».

Итак, динамические потери состоят из потерь при включении и потерь при выключении. Считается как произведение тока в начале (Ir

) или конце (
If
) импульса, напряжения питания (
Uпит
) и времени нарастания (
Tr
) или спада (
Tf
), разделенное на двойной период импульса. Хочу сразу заметить: отдельно считаются потери при включении и отдельно при выключении, а потом суммируются.

Теперь охлаждение.

Основная проблема охлаждения — тепловое сопротивление между разными материалами. У транзистора таких мест 2: между кристаллом и корпусом транзистора, а так же между корпусом транзистора и радиатором. Эти значения табличные и не требующие вычислений. Первое значение берется из даташита на транзистор. Второе тоже можно взять оттуда, если оно там имеется. Если нет, то берётся усредненное значение.

Итак, потери подсчитаны, пора применять в деле.

Первым делом, складываем потери динамические и статические, получаем общие потери — это сколько Ватт надо отвести от кристалла.

Затем складываем тепловые сопротивления.

Теперь умножаем общие потери на тепловое сопротивление. Получившийся результат — та температура, которую нужно «сдувать» с радиатора. Вычтем из ожидаемой рабочей температуры получившуюся, и на выходе нас ждет ожидаемая температура радиатора. Именно по ней можно оценить, подходит или нет транзистор.

Как? Очень просто. Ожидаемая температура радиатора не может быть ниже температуры окружающей среды при естественном охлаждении. То есть, если у вас получился результат +24°, а на улице +32° то всё, кранты! Транзисторы ждёт тепловой пробой, потому как никакой супервентилятор не сможет охладить радиатор до 24 градусов, если температура воздуха выше. Совсем печально, если результат получился отрицательным. Если у вас нет фреоновой или азотной системы охлаждения, лучше выбрать другой транзистор.

Транзистор как усилитель

Транзистор также может работать в качестве усилителя слабых сигналов, то есть он может находиться в любом положении между «полностью включено» и «полностью выключено».

Это означает, что слабый сигнал может управлять транзистором и создать более сильную копию этого сигнала на переходе коллектор-эмиттер (или сток-исток). Таким образом, транзистор может усиливать слабые сигналы.

Вот простой усилитель для управления динамиком сигналом прямоугольной формы:

↑ Тонкости

Разумеется, в деле, подобном этому, есть свои тонкости и особенности. В целом, можно это охарактеризовать выражением «не доводи до крайностей», которое весьма полно объясняет чего нельзя делать, чтобы не бабахнуло.
В первую очередь это касается температур.
Tj
— это максимальная рабочая температура кристалла транзистора, фактически потолок его работоспособности. Было бы как минимум нелепо использовать это значение при расчете. Никогда не загоняйте параметры в угол, всегда оставляйте место для маневра.

Я, к примеру, использую в расчёте температуру на 5-10° ниже, и обзываю ее «Температура ожидаемая» — Tож.

. Так как наиболее часто
Tj
указывается в районе 125° Цельсия, я использую в расчете 115-120°.

Далее, температуру окружающей среды для оценки тоже не следует брать наобум. Есть утвержденные ГОСТы, хотя можно просто принять для средней полосы +35° и +45° для южных регионов. Это для того, чтобы в набитом людьми помещении летом техника не сгорела синим пламенем. Ну и для случаев колебания температур. Для работы на открытом воздухе под солнцепеком есть еще более жесткие условия, но это уже за рамками радиолюбительства.

Далее о напряжениях.

Всегда стоит сделать запас прочности по допустимому напряжению. Опять-таки, в даташите параметр
Vdss
— предельный. И подбор транзистора строго под выпрямленное напряжение сети может сыграть злую шутку. Посчитаем: при напряжении в сети 220 Вольт на выходе мостового выпрямителя будет 310 Вольт. Однако в реальности в сети редко бывает 220 Вольт, и скачки до 20%, увы, обыденное явление. И что же будет, если напряжение в сети увеличится на эти 20%? На выходе выпрямителя будет уже 378 Вольт. Добавим сюда шум от сварочника и, вуаля, 400-вольтовый ключ искрится и взрывается.

Мне довелось отремонтировать очень много усилителей, в которых многочисленные дядюшки Ляо экономили на транзисторах. Не делайте так, разочарований будет куда больше экономии.

Как-то блуждая по просторам интернета, я наткнулся на аппноут IR, рекомендовавший выбирать ключи с запасом в 200 — 250 Вольт от максимального напряжения в схеме. Увы, этот аппноут я не сохранил, а затем найти его не смог. У кого-то есть сомнения, что он вообще существует, но сама рекомендация звучит достаточно трезво, пусть и относительно недёшево.

Теперь о сопротивлении перехода.

В открытом состоянии идеальный ключ должен пропускать весь ток без потерь. Увы, живём мы в неидеальном мире. В настолько неидеальном, что маркетологи с удовольствием этим пользуются. Открывая даташит любого полевого транзистора можно увидеть маленькую характеристику
Rds on
, написанную большим шрифтом. Так вот: это сопротивление перехода при некоей „комнатной“ температуре в 20-25 градусов. Для того же IRFS840B указывается 0,8 Ома.

Это всё красиво только на словах, на деле кристалл в процессе работы будет нагреваться, что неизбежно приведет к увеличению сопротивления открытого перехода. Об этом мало кто помнит, но именно на это надо опираться, при выборе подходящего транзистора. Чаще всего в даташитах не указывают эти печальные цифры, а лишь приводят график температурного коэффициента сопротивления ТКС, вот он для выбранного нами транзистора:

Ну и последняя из тонкостей. Обязательно учитывайте крайние характеристики транзистора.

В таблицах даташита всегда указывается три значения: минимальное, типичное и максимальное (или лучшее, типичное и худшее). Это касается практически всего. Например, время открытия и время закрытия. Причем с маркетинговой точки зрения делается упор именно на типичное время открытия и закрытия. Так, например, для IRFS840B типичное время нарастания составляет 65 нс, что и пишется всюду, хотя отдельные экземпляры доходят до 140 нс, что более чем в 2 раза дольше! Соответственно, для расчета необходимо использовать именно худшее значение, если нет желания отбирать транзисторы для конструкции.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные

Отечественные
2SC32172T9155A
2SC36602T9155B
2SC32182T9155Б
Bak0510-502T9156БС
BF423C2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF4232Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY802Т3130А9
2N24632Т3130Б9
2N24592Т3130В9
2N735A2Т3130Г9
2N8442Т3130Д9
PBC108A, B2Т3133А2
2N42602Т3135А1
2N42612Т3135Б1
S923TS2Т3152А, Г, Д
PBC107B2Т3158А2
2N2906A2Т3160А2
DC51082Т370А9
CX9542Т370Б9
BD8252Т642А2
2N22182Т649А2
SF123A2Т672А2
BD2022Т818А
1561-10152Т874А
1561-10082Т874Б
SDT695042Т880Д
2N35842Т881Д
2SA1009AM2Т887А, Б
BLY47A2Т892А, 2Т892Б
2N50502Т892В
2SC20932Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A)2Т9103А2
NE2434992Т9108А2
NE080481E-122Т9109А
THA-152Т9111А
THX-152Т9111Б
AM14162002Т9114А, Б
SDR0752Т9117А, 2Т9118А
2DR405B2Т9117Б
MRF8462Т9117В
LDR405B2Т9118Б
MRF8462Т9118В
NE30012Т9119А2
PZB27020V2Т9122А
PH1214-602Т9122Б
MSC81400M2Т9127В, Г
MSC81325M2Т9127Д, Е
TN202Т9130А
2SA15842Т9143А
2023-62Т9146А
2023-122Т9146Б
2023-162Т9146В
2SC32172Т9155А
2SC32182Т9155Б, КТ9142А
2SC36602Т9155В, КТ9152А
2224302Т9158А
2023-62Т9158Б
MRF5442Т9159А
AM14162002Т986А, Б
MPF8732Т987А
AM14162002Т994А2—2Т994В2
2N51772Т998А
2SC3218*KT9142A
2SC3660*KT9152A
SD1483KT9174A
SD1492*Г101A
ADY25ГТ 701А, П210Б
SD1492ГТ101А
AC128ГТ402И
AC127ГТ404Б
AD162ГТ703Г
AU106ГТ810А, КТ812Б
BC239BКТ 3102Ж
SS9012КТ209
2N2784КТ3101АМ
BC109BPКТ3102И
BC455DКТ3107Е1
BC456BКТ3107И1
BC526CКТ3107К1-Л1
BF680КТ3109А1
BF979КТ3109Б1
BF970КТ3109В1
2N2615КТ3132Д2
2N2616КТ3132Е2
2N2906КТ313А1
2N2906AКТ313Б1
2SA1090КТ313В1
2SA876HКТ313Г1
PXT2222КТ3153А9
BFP720КТ315В1
2N3397КТ315Р1
2SD1220QКТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814КТ3176А9
MPS6513КТ3184Б9
TBC547AКТ3186А
BCW47BКТ3187А
BC408КТ342А
BC107BКТ342Б, КТ3102Б
2SC404КТ359А3
SS9015КТ361, КТ3107
2SA556КТ361Ж (И)
BSW62AКТ361К (Л, М)
BSW63AКТ361Н (П)
MD5000AКТ363А
2N3839КТ370А9
2N5651КТ370Б9
BC147КТ373А
2N3904КТ375А, КТ375Б
2SC601КТ396А2
2N709КТ397А2
MJE13001КТ538А
2SC64КТ6110А (Б)
2N1051КТ6110В (Г, Д)
BF337КТ6113А (Б, В)
BF338КТ6113Г (Д, Е)
2SA738BКТ6116А (Б)
2N3114КТ6117А
2N3712КТ6117Б
BD136КТ626Е, КТ6109А
BC527-6КТ629А2
BD386КТ629А3
2N2368КТ633А
2N3303КТ635А
BD370A6КТ639А1
BD372КТ639Б1
2N2218AКТ647А2
MPS706КТ648А2
2SA715CКТ664Б9
BF177КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179BКТ682Б2
BD166КТ720А
2N4238КТ721А
BD168КТ722А
2N3054КТ723А
BD170КТ724А
BD165КТ728А
BUY90КТ8107В (Г)
MIE13005КТ8121А2
MIE13004КТ8121Б2
2SD401AКТ8146А
2SC4055КТ8146Б
TIP41CКТ8212А—В
BU2506DКТ8248А1
BUD44D2КТ8261А
STD18202КТ828Г
BU205КТ838Б
2SB834КТ842В
2SD1279КТ846Б
BVX14КТ846В
BD223КТ856А1
BD944КТ856Б1
2N5839КТ862Б
2N5840КТ862В
2SC1173КТ862Г
2SC1624КТ863Б
2SC1625КТ863В
2SC2794КТ866А
2N4913КТ866Б
BU508КТ872
2SA1682-5КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015КТ9116А
MRF422КТ9116А, В
I02015AКТ9116Б
2SC3596FКТ9142А
TCC2023-6LКТ9150А, 2Т9155В
2SC3812КТ9151АС
2023-15TКТ9152А
27AM05КТ9170А
SDT3207КТ9171А, Б
LT1739КТ9171В
2SB596КТ9176А
MJE2801TКТ9177А
SD1483КТ917А
2N6180КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181КТ9180В, Г
D44H7КТ9181А, Б
MRF430КТ9181В, Г
2N5102КТ921А, В
2N2219КТ928Б
BC303КТ933А
2N5996КТ945Б
2N5642КТ945В, Г
2N5643КТ949А
2SC2331КТ961, КТ9171
2N4440КТ972В
2N5995КТ972Г
LOT-1000D1-12BКТ979А
2N4976КТ996А2
2SC976КТ996Б2
2N4128КТ997В
MP42МП42Б
ASZ18П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
SG7692Т3133Аnpn0.3ТО-126
2Т837В,Еpnp8ТО-220
2SA10202Т860Вpnp2ТО-39
2Т877Вpnp20ТО-3
KT315Hn-p-n200.1
KT503An-p-n250.15
KT503Bn-p-n250.15
KT686Fp-n-p250.8
KTJ107Bp-n-p250.1
авзттp-n-p307.5
ГТ313Аp-n-p150.03
ГТ313Бp-n-p150.03
ГТ313Вp-n-p150.03
ГТ328Аp-n-p150.01
ГТ328Бp-n-p150.01
ГТ328Вp-n-p150.01
ГТ346Аp-n-p200.01
ГТ346Бp-n-p200.01
ГТ346Вp-n-p200.01
К13115Г-2n-p-n70.08
КГ117Гn-база300.05
КГ201А(М)n-p-n200.02
КТ117Аn-баэа300.05
КТ117Бn-баэа300.05
КТ117Вn-база300.05
КТ201Б(М)n-p-n200.02
КТ201В(М)n-p-n100.02
КТ201Г(М)n-p-n100.02
КТ201Д(М)n-p-n100.02
КТ203Б(М)p-n-p300.01
КТ203В(М)p-n-p150.01
КТ208А(1)p-n-p200.3
КТ208Б(1)p-n-p200.3
КТ208В(1)p-n-p200.3
КТ208Г(1)p-n-p300.3
КТ208Д(1)p-n-p300.3
КТ208Е(1)p-n-p300.3
КТ209Аp-n-p150.3
КТ209Бp-n-p150.3
КТ209Б1p-n-p150.3
КТ209Вp-n-p150.3
КТ209В1p-n-p150.3
КТ209В2p-n-p150.3
КТ209Гp-n-p300.3
КТ209Дp-n-p300.3
КТ209Еp-n-p300.3
КТ306Б(М)n-p-n100.03
кт306в(М)n-p-n100.03
кт306г(М)n-p-n100.03
кт306д(М)n-p-n100.03
КТ3101А-2n-p-n150.02
КТ3102K(M)n-p-n200.1
КТ3102В(М)n-p-n300.1
КТ3102Г(М)n-p-n200.1
КТ3102Д(М)n-p-n300.1
КТ3102Е(М)n-p-n200.1
КТ3102Ж(М)n-p-n200.1
КТ3102И(М)n-p-n200.1
КТ3107Гp-n-p250.1
BC179APКТ3107Дp-n-p250.1
BC179КТ3107Еp-n-p200.1
КТ3107Жp-n-p200.1
КТ3107Кp-n-p250.1
КТ3107Лp-n-p200.1
КТ3109Аp-n-p250.05
КТ3109Бp-n-p200.05
КТ3109Вp-n-p200.05
КТ3115А-2n-p-n100.08
КТ3115В-2n-p-n100.08
КТ3120Аn-p-n150.02
КТ3123А-2p-n-p150.03
КТ3123Б-2p-n-p150.03
КТ3123В-2p-n-p100.03
КТ3126Аp-n-p200.02
КТ3126Бp-n-p200.02
КТ3127Аp-n-p200.02
кт3128А(1)p-n-p400.02
КТ3129В-9p-n-p300.1
КТ3129Г-9p-n-p300.1
КТ3129Д-9p-n-p200.1
КТ312Аn-p-n200.03
BFY39КТ312Бn-p-n350.03
КТ312Вn-p-n200.03
КТ3130В-9n-p-n300.1
КТ3130Г-9n-p-n200.1
КТ3130Д-9n-p-n300.1
КТ3130Е-9n-p-n200.1
КТ3130Ж-9n-p-n300.1
2N2712КТ315Аn-p-n250.1
2N2926КТ315Бn-p-n200.1
КТ315Вn-p-n400.1
КТ315Гn-p-n350.1
BFP722КТ315Г1n-p-n350.1
2SC634КТ315Дn-p-n400.1
КТ315Еn-p-n350.1
2SC641КТ315Жn-p-n200.05
КТ315Рn-p-n350.1
КТ3168А-9n-p-n150.03
КТ316А(М)n-p-n100.05
КТ316Б(М)n-p-n100.05
КТ316В(М)n-p-n100.05
КТ316Г(М)n-p-n100.05
КТ316Д(М)n-p-n100.05
КТ325А(М)n-p-n150.03
КТ325Б(М)n-p-n150.03
КТ325В(М)n-p-n150.03
КТ326А(М)p-n-p150.05
КТ326Б(М)p-n-p150.05
КТ339А(М)n-p-n250.03
КТ339Бn-p-n150.03
КТ339Вn-p-n250.03
КТ339Гn-p-n250.03
КТ339Дn-p-n250.03
КТ342А(М)n-p-n300.05
КТ342Б(М)n-p-n250.05
КТ342В(М)n-p-n100.05
КТ342ГМn-p-n300.05
КТ342ДМn-p-n250.05
КТ345Аp-n-p200.2
КТ345Бp-n-p200.2
КТ345Вp-n-p200.2
КТ347Аp-n-p150.05
КТ347Бp-n-p90.05
КТ347Вp-n-p60.05
КТ349Аp-n-p150.05
BC178КТ349Бp-n-p150.05
КТ349Вp-n-p150.05
КТ350Аp-n-p200.6
КТ351Аp-n-p15(-0.4)
КТ351Бp-n-p15(-0.4)
КТ352Аp-n-p15(-0.2)
КТ352Бp-n-p15(-0.2)
КТ355АМn-p-n150.03
2SA555КТ361Аp-n-p250.1
КТ361Бp-n-p200.1
КТ361Вp-n-p400.1
КТ361Гp-n-p350.1
КТ361Г1p-n-p350.1
КТ361Дp-n-p400.05
КТ361Еp-n-p350.05
BC251КТ361Иp-n-p150.05
КТ363А(М)p-n-p150.03
КТ363Б(М)p-n-p120.03
КТ368А(М)n-p-n150.03
КТ371Аn-p-n100.02
КТ372Аn-p-n150.01
КТ372Бn-p-n150.01
КТ382А(М)n-p-n100.02
КТ382Б(М)n-p-n100.02
КТ391А-2n-p-n100.01
КТ391Б-2n-p-n100.01
КТ391В-2n-p-n100.01
КТ399Аn-p-n150.02
КТ399АМn-p-n150.03
2N3906КТ501 Ж,И,Кpnp0.3ТО-92
КТ501Аp-n-p150.3
КТ501Бp-n-p150.3
КТ501Вp-n-p150.3
КТ501Гp-n-p300.3
КТ501Дp-n-p300.3
КТ501Еp-n-p300.3
КТ502Аp-n-p250.15
КТ502Бp-n-p250.15
КТ502Вp-n-p400.15
КТ502Гp-n-p400.15
2SC1815КТ503 А,Бnpn0.15ТО-92
КТ503Вn-p-n400.15
КТ503Гn-p-n400.15
КТ603Аn-p-n300.3
КТ603Бn-p-n300.3
Кт603вn-p-n150.3
КТ603Гn-p-n150.3
Кт603дn-p-n100.3
КТ603Еn-p-n100.3
Кт603иn-p-n300.3
BC547КТ6111 (А-Г)npn0.1ТО-92
2SA1266КТ6112 (А-В)pnp0.1ТО-92
КТ6127Гp-n-p302
КТ6127Дp-n-p122
КТ6127Еp-n-p122
2N4403КТ626Аpnp0.5ТО-126
КТ626Гp-n-p200.5
КТ626Дp-n-p200.5
BD136КТ639А,Б,Вpnp1.5ТО-126
КТ639Иp-n-p301.5
КТ644Вp-n-p400.6
КТ644Гp-n-p400.6
2N3904КТ645Бn-p-n400.3ТО-92
2N4401КТ646Бn-p-n401ТО-126
BC337КТ660Аnpn0.8ТО-92
КТ660Бn-p-n300.8
BC557КТ668 (А-В)pnp0.1ТО-92
КТ680Аn-p-n250.6
КТ681Аp-n-p250.6
BC635КТ684Аnpn1ТО-92
КТ685 А,Вpnp400.6ТО-92
КТ685дp-n-p250.6
КТ685Еp-n-p250.6
КТ685Жp-n-p250.6
BC327КТ686 А,Б,Вpnp450.8ТО-92
КТ686Гp-n-p250.8
КТ686Дp-n-p250.8
КТ686Жp-n-p250.8
BC636КТ692Аpnp1ТО-39
КТ695Аn-p-n250.03
КТ698Гn-p-n302
КТ698Дn-p-n122
КТ698Еn-p-n122
КТ8111Б’n-p-n400.02
КТ8111В»n-p-n300.02
КТ8130А*p-n-p404
КТ8131А*n-p-n404
КТ814Аpnp251.5ТО-126
КТ814Бp-n-p401.5
BD135КТ815Аnpn301.5ТО-126
BD434КТ816Аp-n-p403
КТ816А2p-n-p403
2SB856КТ816Бpnp3ТО-126
BD435КТ817А,Бnpn403ТО-126
TIP33КТ818Аpnp4010ТО-220
КТ818АМp-n-p4015
TIP34КТ819А,Бnpn4010ТО-220,
9527КТ819АМn-p-n4015
КТ825Е*p-n-p300.02
КТ829Гnpn8ТО-220
КТ835Аp-n-p303
КТ835Бpnp7.5ТО-220
КТ837Жp-n-p307.5
КТ837Иp-n-p307.5
КТ837Кp-n-p307.5
FMMT717КТ852Гpnp2ТО-220
КТ853Гpnp8ТО-220
2SD1062КТ863Аnpn3010ТО-220
КТ896В*p-n-p300.02
КТ943Аnpn2ТО-126
КТ972Бnpn4ТО-126
2SB857КТ973Бpnp4ТО-126
ктзб1Жp-n-p100.05
ктзевБ(М)n-p-n150.03
КТЗОвА(М)n-p-n100.03
КТЭ72Вn-p-n1510
СТ837Уp-n-p307.5
СТ837Фp-n-p307.5

Биполярные транзисторы до 60 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т708Бpnp2.5ТО-39
MJE29552Т709Вpnp10ТО-3
2Т709В2*p-n-p6010
BDX852Т716В,В1npn6010ТО-3
BDX782Т818Вp-n-p6015
2Т819Вp-n-p6015
2Т825Вpnp20ТО-3
2Т825В2pnp6015ТО-220
2Т830Бpnp2ТО-39
2Т831Бnpn2ТО-39
2Т836Вpnp3ТО-39
2Т837Б,Дpnp8ТО-220
MJE30552Т875Вnpn10ТО-3
2Т877Бpnp20ТО-3
2Т880Вpnp2ТО-39
2Т881Вnpn2ТО-39
2SC3402503В,Гnpn0.15ТО-92
ICT814Bp-n-p601.5
KT6S8Bn-p-n502
ГТ806Гp-n-p5015
ГТ905Бp-n-p603
КТ203А(М)p-n-p600.1
КТ208Ж(1)p-n-p450.3
КТ208И(1)p-n-p450.3
КТ208К(1)p-n-p450.3
КТ208Л(1)p-n-p600.3
КТ208М(1)p-n-p600.3
КТ209Жp-n-p450.3
КТ209Иp-n-p450.3
КТ209Кp-n-p450.3
КТ209Лp-n-p600.3
КТ209Мp-n-p600.3
BC182КТ3102А(М)n-p-n500.1
КТ3102Б(М)n-p-n500.1
BC212КТ3107Аp-n-p450.1
BCY78КТ3107Бp-n-p450.1
BCY78КТ3107Иp-n-p450.1
КТ3108Аp-n-p600.2
КТ3108Бp-n-p450.2
КТ3108Вp-n-p450.2
PN5132КТ3117А(1)n-p-n600.4
КТ3129А-9p-n-p500.1
КТ3129Б-9p-n-p500.1
КТ3130А-9n-p-n500.1
КТ3130Б-9n-p-n500.1
КТ313А(М)p-n-p600.35
2N2907КТ313Б(М)p-n-p600.35
КТ315Иn-p-n600.05
КТ361Кp-n-p600.05
КТ501Жp-n-p450.3
КТ501Иp-n-p450.3
КТ501Кp-n-p450.3
КТ501Лp-n-p600.3
КТ501Мp-n-p600.3
КТ502Дp-n-p600.15
КТ502Еp-n-p600.15
BSR41КТ530Аnpn1TO-92
КТ6127Вp-n-p502
BD138КТ626Бpnp600.5ТО-126
BC637КТ630Д,Еnpn1ТО-39
КТ639Аp-n-p451.5
КТ639Бp-n-p451.5
КТ639Вp-n-p451.5
КТ639Гp-n-p601.5
BD138КТ639Г,Дpnp601.5ТО-126
2N3545КТ644(А-Г)pnp600.6ТО-126
КТ645Аnpn600.3ТО-92
BD137КТ646Аnpn0.5ТО-126
КТ659Аnpn1.2ТО-39
2SA684КТ661Аpnp0.6ТО-39
BC556КТ662Аpnp0.4ТО-39
КТ668Аp-n-p450.1
КТ668Бp-n-p450.1
КТ668Вp-n-p450.1
КТ683Дn-p-n601
2SD1616КТ683Д,Еnpn601ТО-126
КТ685Бp-n-p600.6
BC638КТ685Б,Гpnp600.6ТО-92
SA1245КТ686Аp-n-p450.8
КТ686Бp-n-p450.8
КТ686Вp-n-p450.8
2SC2655КТ698Вnpn2ТО-92
КТ801Бn-p-n602
КТ8106Бn-p-n450.02ТО-220
КТ8111А’n-p-n500.02
КТ8111В9npn20ТО-218
КТ8116Вnpn8ТО-220
КТ8118Б*n-p-n608
2SA1469КТ8130Бpnp604ТО-126
КТ8131Б’n-p-n604
КТ815Бn-p-n451.5
2SB1366КТ816Вpnp603ТО-126
КТ817Бn-p-n453
КТ817Б2n-p-n453
2N5191КТ817Вnpn603ТО-126
КТ818Бp-n-p5010
9535КТ818БМp-n-p5015
КТ819Бn-p-n5010
2N3055КТ819БМn-p-n5015
КТ825Д*p-n-p6020
КТ827Вnpn6020ТО-3
TIP3055КТ8284Аnpn12ТО-220
TIP120КТ829Вnpn608ТО-220
КТ837Бp-n-p607.5
КТ837Вp-n-p607.5
КТ837Гp-n-p457.5
КТ837Дp-n-p457.5
КТ837Лp-n-p607.5
КТ837Мp-n-p607.5
КТ852Вpnp2ТО-220
КТ853Вpnp8ТО-220
КТ896Бpnp20ТО-220
КТ908Аn-p-n6010
КТ908Бn-p-n6010
BD137КТ961Вnpn451.5ТО-126
BD677КТ972Аnpn604ТО-126
BD678КТ973Аpnp4ТО-126
КТ973А’p-n-p604
КТ997Аn-p-p4510
КТ997Бn-p-n4510
КТМ7Еp-n-p457.5
ОГ837Нp-n-p607.5
СГ837Пp-n-p457.5
СГ837Рp-n-p457.5
Т852В*p-n-p602.5
Т852Гp-n-p452.5
Т853В*p-n-p608
Т853Гp-n-p458
Тв37Сp-n-p457.5

Биполярные транзисторы до 70 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т831Вnpn2ТО-39
2Т837А,Гpnp8ТО-220
2Т860Бpnp2ТО-39
2Т875Бnpn10ТО-3
2Т876Бpnp10ТО-3
КТ6127Бp-n-p702
КТ698Бnpn2ТО-92
КТ69ВБn-p-n702
КТ808ГМnpn10ТО-3
КТ814Вpnp651.5ТО-126
КТ815Вnpn1.5ТО-126
КТ818Вpnp7010ТО-220,
КТ818ВМp-n-p7015
КТ919Вn-p-n7010
КТ919ВМn-p-n7015
КТ943 Б,Дnpn2ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
TIP33B2Т709Бpnp10ТО-3
2Т709Б2*p-n-p8010
2Т716Б,Б1npn10ТО-3
2Т716б1*n-p-n8010
BD2042Т818Бp-n-p8015
2Т819Бp-n-p8015
2Т825Бpnp20ТО-3
2Т825Б2pnp8015ТО-220
BD1402Т830Вpnp2ТО-39
2Т836А,Бpnp3ТО-39
2Т875А,Гnpn10ТО-3
2Т876А,Гpnp10ТО-3
2Т877Аpnp20ТО-3
2Т880Бpnp2ТО-39
BD1392Т881Бnpn2ТО-39
ГТ806Аp-n-p7515
ГТ905Аp-n-p753
ГТ906А(М)p-n-p756
КДТ8281Аpnp60ТО-218
PN3691КТ3117Бn-p-n750.4
2SC1627КТ503Дnpn0.15ТО-92
КТ602Вn-p-n800.075
КТ602Гn-p-n800.075
2SA935КТ626Вpnp800.5ТО-126
КТ684Бnpn1ТО-92
КТ801Аn-p-n802
КТ808ВМnpn10ТО-3
КТ8106Аnpn8020ТО-220
TIP151КТ8111Б9npn20ТО-218
2SD2025КТ8116Бnpn808ТО-220
КТ8130В*p-n-p804
КТ8131В*n-p-n804
TIP34BКТ819Б,В*npn10ТО-220
КТ827Бnpn8020ТО-3
КТ8284Бnpn12ТО-220
BD679КТ829Бnpn808ТО-220
КТ837Аp-n-p807.5
КТ852Бpnp2ТО-220
BDX34BКТ853Бpnp8ТО-220
2N6039КТ943В,Гnpn2ТО-126
КТ961Бnpn1.5ТО-126
КТД8280Аnpn60ТО-218
КТД8283Аpnp60ТО-218
Т852Б*p-n-p802.5
Т853Б’p-n-p808

Биполярные транзисторы до 130 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
1Т813Аp-n-p10030
1Т813Бp-n-p12530
2Т708Аpnp2.5ТО-39
BDX34C2Т709Аpnp10010ТО-3
BDX33C2Т716А,А1npn10ТО-3
2Т716АГ*n-p-n10010
2Т819Аp-n-p10015
2Т825Аpnp20ТО-3
2Т825А2pnp15ТО-220
2Т830Гpnp2ТО-39
SD17652Т831Гnpn2ТО-39
2Т860Аpnp2ТО-39
2Т880А,Гpnp2ТО-39
2Т881А,Гnpn2ТО-39
2Т935Бnpn20ТО-220
ГТ806Бp-n-p10015
ГТ806Вp-n-p12015
КТ503Еnpn0.15ТО-92
SK3835КТ601А,АМnpn1000.03ТО-126
КТ602А,АМnpn0.075ТО-126
КТ602Б(М)n-p-n1000.075
2SA715DКТ6102Аpnp1.5ТО-92
BF336КТ6103Аnpn1.5ТО-92
КТ6127Аp-n-p902
КТ6127Жp-n-p1202
BSY52КТ630Аn-p-n1201ТО-39
КТ630Бn-p-n1201ТО-39
2N1613КТ630Гn-p-n1001ТО-39
2SC2240КТ638А,Бnpn0.1ТО-92
КТ639Еp-n-p1001.5
КТ6836n-p-n1201
КТ683Бnpn1201ТО-126
КТ683Вn-p-n1201ТО-126
КТ683Гn-p-n1001ТО-126
BC639КТ684Вnpn1ТО-92
BD237КТ698Аnpn2ТО-92
КТ698Жn-p-n1202
2N4237КТ719Аnpn1.5ТО-126
КТ802Аn-p-n1305
КТ805БМ,ВМnpn5ТО-220
КТ807Аn-p-n1000.5
КТ807А,Бnpn1000.5ТО-126
КТ808 АМ,БМnpn10ТО-3
TIP150КТ8111А9npn20ТО-218
КТ8115Аpnp8ТО-220
КТ8116Аnpn1008ТО-220
2N5400КТ814Гpnp1.5ТО-126
КТ815Гnpn851.5ТО-126
TIP42CКТ816Гpnp903ТО-126
КТ817Гnpn903ТО-126
КТ817Г2n-p-n903
TIP33BКТ818Гpnp9010ТО-220
КТ818ГМp-n-p9015
TIP34CКТ819А,Гnpn10010ТО-220
2N3055КТ819ГМn-p-n10015
КТ8246 А,Бnpn15ТО-220
КТ825*p-n-p9020
КТ827Аnpn10020ТО-3
КТ8284Вnpn12ТО-220
TIP122КТ829Аnpn1008 (5)ТО-220
КТ852Аpnp2ТО-220
КТ853Аpnp8ТО-220
BD946КТ896Аpnp20ТО-220
КТ961Аnpn1.5ТО-126
ктвзэжp-n-p1001.5
КТД8257Аnpn20ТО-220
КТД8278Б,Вnpn20ТО-220
КТД8280Бnpn60ТО-218
КТД8281Бpnp60ТО-218
КТД8283Бpnp60ТО-218
ПИЛОН-3Аnpn15ТО-220
Т852А-p-n-p1002.5
Т853А-p-n-p1008

Биполярные транзисторы до 160 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
1Т813Вp-n-p15030
ГТ806Дp-n-p14015
2N5401КТ6116pnp0.6ТО-92
2N5551КТ6117npn0.6ТО-92
2SC2383КТ630Вnpn1501ТО-39
КТ663Аn-p-n1501
КТ683Аnpn1ТО-126
КТ698Иn-p-n1602
2SA1186КТ712Бpnp10ТО-220
КТ805АМnpn5ТО-220
BU289КТ8101Аn-p-n16016ТО-218
КТ8101Бnpn16ТО-218
2SA1294КТ8102Аp-n-p16016ТО-218
2SA1216КТ8102Бpnp16ТО-218
КТ8123Аnpn1502ТО-220
КТ8246В,Гnpn15ТО-220
КТ850Вnpn2ТО-220
2SA940КТ851Вpnp2ТО-220
КТ855Бp-n-p1505
КТ855Б,Вpnp1505ТО-220
2SC3907КТ863БСnpn12ТО-220
КТ899Аnpn1508ТО-220
КТ940Вnpn1600.1ТО-126
2N5996КТ945Аn-p-n15015ТО-3
КТД8257Бnpn20ТО-220
ПИР-2 (КТ740А)npn20ТО-220
2SC2230Т611В,Гnpn0.1ТО-126
Т850Вn-p-n1502
Т851Вp-n-p1502

Биполярные транзисторы до 200 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
КГвИ AMn-p-n1800.1
КТ504Бnpn2001ТО-39
2SC1473КТ611А,Бnpn0.1ТО-126
КТ611БМn-p-n1800.1
КТ6127Кp-n-p2002
КТ698Кn-p-n2002
КТ712Аpnp10ТО-220
КТ8105Аn-p-n20020
КТ8124Аn-p-n2007
КТ8124Бn-p-n2007
КТ8140Аn-p-n2007
КТ842Бpnp5ТО-3
КТ851Аpnp2ТО-220
BU406КТ864Аnpn10ТО-3
КТ865Аpnp10ТО-3
BVR11КТ867Аnpn25ТО-3
КТ879Аnpn20050КТ-5
BVT91КТ879Бn-p-n20050
КТ897Бnpn20020ТО-218
2N6077КТ898Бnpn20020ТО-218
КТД8257(А-Г)npn20ТО-220
КТД8278Аnpn20ТО-220
Т850Аn-p-n2002
Т851Аp-n-p2002

Биполярные транзисторы до 250 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т862А,Бnpn15ТО-3
2Т882Вnpn1ТО-220
2SA18372Т883Бpnp1ТО-220
КТ3157Аp-n-p2500.03
КТ504Вnpn1ТО-39
КТ505Бpnp2501ТО-39
КТ604А(М)n-p-n2500.2
КТ604Б(М)n-p-n2500.2
КТ605А(М)n-p-n2500.1
0.1КТ605А,Бnpn2500.1ТО-126
КТ844Аnpn10ТО-3
КТ850А,Бnpn2ТО-220
КТ851Бpnp2ТО-220
КТ855Аpnp5ТО-220
MJE15032КТ857Аnpn2507ТО-220
КТ940Бnpn2500.1ТО-126
КТ969Аnpn0.1ТО-126
КТ999Аn-p-n2500.05
КТЭвЭАn-p-n2500.1
Т850Бn-p-n2502
Т851Бp-n-p2502
Т855Аp-n-p2505

Биполярные транзисторы до 300 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
MJE3402Т882Бnpn1ТО-220
2Т883Аpnp1ТО-220
MJE13002КТ504Аnpn1ТО-39
КТ505Аp-n-p3001
2SA1371КТ6104Аpnp0.15ТО-92
BFJ57КТ6105Аnpn0.15ТО-92
КТ8109А,Бnpn7ТО-220
КТ8109Б*n-p-n3007
КТ8121Бnpn3004ТО-220
КТ8124Вnpn7ТО-220
КТ812Вn-p-n3008
КТ8232А,Бnpn20ТО-218
КТ8258Бnpn4ТО-220
КТ8259Бnpn8ТО-220
КТ8260Аnpn15ТО-220
КТ8285Аnpn30ТО-218
КТ842Аpnp5ТО-3
КТ854Бnpn10ТО-220
КТ890(А-В)npn20ТО-218
КТ892А,Вnpn15ТО-3
КТ897Аnpn20ТО-218
КТ898Аnpn20ТО-218
2SA1091КТ9115Аpnp3000.1ТО-126
КТ940Аn-p-n3000.1
КТД8252(А-Г)npn15ТО-220
КТД8262(А-В)npn7ТО-220
КТД8279(А-В)npn10ТО-220
MJE350Т505Аpnp1ТО-39
2SC2482Т940Аnpn0.1ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2SA16252Т509Аpnp0.02ТО-39
MJE130092Т862Вnpn10ТО-3
2SC41382Т862Гnpn10ТО-3
MJE130032Т882Аnpn1ТО-220
2Т885Аnpn40ТО-3
ав40Бn-p-n3508
BUX84КТ704Б,Вnpn2.5
КТ809Аn-p-n4003
BU208AКТ8104Аn-p-n35020
2SC2625КТ8117Аnpn40010ТО-218
КТ8121Аnpn4004ТО-220
2SC3039КТ8124А,Бnpn7ТО-220
MJE13007КТ8126Аnpn8ТО-220
КТ8136Аn-p-n40010
MJE13005КТ8258Аnpn4ТО-220
2SC4834КТ8259Аnpn8ТО-220
КТ8260Бnpn15ТО-220
КТ8285Бnpn30ТО-218
КТ834Вnpn40015ТО-3
2SD1409КТ840А,Бnpn6ТО-3
2SC3306КТ841Бnpn10ТО-3
BUT11КТ845Аnpn5ТО-3
КТ848Аnpn15ТО-3
2SC2335КТ858Аnpn4007ТО-220
2N4914КТ890А*n-p-n35020
2N4915КТ890Б*n-p-n35020
КТ890В*n-p-n35020
MI10000КТ892Бnpn40015ТО-3
КТД8279Аnpn10ТО-220
Т840Аn-p-n4006
Т848Аn-p-n40015
Т854Бn-p-n40010

Биполярные транзисторы до 500 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т812Бn-p-n50010
2Т856Вnpn10ТО-3
2Т885Бnpn40ТО-3
ICT8110Bn-p-n4507
KT8120An-p-n4508
SF123CКТ6107Аnpn0.13ТО-92
BD140КТ6108Аpnp0.13ТО-92
2SC3970КТ704Аnpn2.5
КТ8108Аn-p-n5005
КТ8108Бn-p-n5005
КТ8110Аn-p-n4507
КТ8110Бn-p-n4507
BUL310КТ8120Аnpn3ТО-220
КТ812Бnpn5008ТО-3
КТ8260Вnpn15ТО-220
КТ8285Вnpn30ТО-218
КТ834Аn-p-n50015
КТ834А,Бnpn45015ТО-3
КТ854Аnpn10ТО-220
ПИР-1npn20ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2SC52492Т884Бnpn2ТО-220
КТ506Бnpn6002ТО-39
КТ8107Вn-p-n6005
КТ8144Бnpn25ТО-3
2SC5386КТ8286Аnpn5ТО-218
2SC2027КТ828Бn-p-n6005
2SD2499КТ828Б,Гnpn5ТО-3
2SC5387КТ841А,Вnpn10ТО-3
2SC4706КТ847Аnpn15ТО-3
ST1803КТ856А1,Б1npn10ТО-218
КТ878Вnpn60030ТО-3
2SA1413КТ887Бpnp2ТО-3
КТ888Бpnp0.1ТО-39
СТ841Аn-p-n60010
СТ841Вn-p-n60010
Т854Аn-p-n60010

Биполярные транзисторы до 700 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т812Аn-p-n70010
2Т856Бnpn10ТО-3
КТ8107(А-Г)npn7008ТО-220
КТ8114Аn-p-n7008
КТ8127А(1)n-p-n7005
КТ8127Б(1)n-p-n7005
КТ8127В(1)n-p-n7005
КТ8129Аn-p-n7005
BUH100КТ812Аnpn70010ТО-3
КТ8137Аnpn1.5ТО-126
КТ826(А-В)npn7001ТО-3
КТ8286Бnpn5ТО-218
КТ887Аpnp2ТО-3
Т847Аn-p-n65015

Биполярные транзисторы до 800 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т884Аnpn2ТО-220
КТ506Аnpn2ТО-39
КТ8118Аnpn8003ТО-220
2SC3998КТ8144Аnpn25ТО-3
КТ8286Вnpn5ТО-218
SML804КТ828А,Вnpn8005ТО-3
2SC3150КТ859Аnpn8003ТО-220
2SC5002КТ868Бnpn6КТ-9
BVP38КТ878Бnpn80030ТО-3
СТ841Бn-p-n80010

Биполярные транзисторы до 900 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
КТ888Аpnp0.1ТО-39
2SC3979КТ868Аnpn6КТ-9
2Т856Аnpn10ТО-3
КТ878Аnpn30ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
BU108КТ8107Аn-p-n15008
BU508КТ838Аnpn5ТО-3
BU2520КТ839Аnpn10ТО-3
BU2506КТ846Аnpn5ТО-3
BU2508КТ872А,Бnpn8ТО-218
2SC5270КТ886А1npn10ТО-218
BU1508КТ886Б1npn8ТО-218
Т846Аn-p-n15005
Т846Вn-p-n15005
Т848Бn-p-n12005

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

ЗарубежныеОтечественныеТип переходаU max, ВI max, АКорпус
2Т713Аnpn25003ТО-3
КТ710Аnpn5ТО-3

Однопереходные транзисторы

ЗарубежныеОтечественные
2N1573КТ117ВМ
2N1923КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

ИмпортныеОтечественные
IRFZ10КП739Б
IRFZ15КП739В
IRF740КП740
IRFZ24КП740А
IRFZ20КП740Б
IRFZ25КП740В
IRFZ48КП741А
IRFZ46КП741Б
STH75N06КП742А
STH75N05КП742Б
IRF510КП743А
IRF511КП743Б
IRF512КП743В
IRF520КП744А
IRF521КП744Б
IRF522КП744В
IRL520КП744Г
IRF530КП745А
IRF531КП745Б
IRF532КП745В
IRL530КП745Г
IRF540КП746А
IRF541КП746Б
IRF542КП746В
IRL540КП746Г
IRFP150КП747А
IRF610КП748А
IRF611КП748Б
IRF612КП748В
IRF620КП749А
IRF621КП749Б
IRF622КП749В
IRF640КП750А
IRF641КП750Б
IRF642КП750В
IRL640КП750Г
IRF720КП751А
IRF721КП751Б
IRF722КП751В
IRF730КП752А
IRF731КП752Б
IRF732КП752В
IRF830КП753А
IRF831КП753Б
IRF832КП753В
STP40N10КП771А
IRF820КП820
IRF830КП830
IRF840КП840
IRF150КП150
IRF240КП240
IRF250КП250
IRF340КП340
IRF350КП350
BF410CКП365А
BF960КП382А
IRF440КП440
IRF450КП450
ZVN2120КП501А
BSS124КП502
BSS129КП503
BSS88КП504
BSS295КП505
IRF510КП510
IRF520КП520
IRF530КП530
IRF540КП540
IRF610КП610
IRF620КП620
IRF630КП630
IRF640КП640
BUZ90КП707Б1
IRF710КП710
IRF350КП717Б
BUZ45КП718А
IRF453КП718Е1
IRF720КП720
BUZ36КП722А
IRFZ44КП723А
IRFZ45КП723Б
IRFZ40КП723В
IRLZ44КП723Г
MTP6N60КП724А
IRF842КП724Б
TPF450КП725А
BUZ90AКП726А
BUZ71КП727А
IRFZ34КП727Б
IRLZ34КП727В
BUZ80AКП728А
IRF730КП730
IRGPH50FКП730А
IRF710КП731А
IRF711КП731Б
IRF712КП731В
IRF630КП737А
IRF634КП737Б
IRF635КП737В
IRFZ14КП739А

Слабые полевые транзисторы

ИмпортныеОтечественные
U1899EКП329A
2N2841КП301Г
2N3332КП301Б
2N3365КП329A
2N3368КП329A
2N3369КП333A
2N3331КП307B
2N3370КП329A
2N3436КП329A
2N3438КП333A
2N3458КП333A
2N3459КП329A
2N3460КП329A
2N3796КП303B
2N3797КП303Г
2N3819КП307Б
2N3823КП329A
2N3909КП301B
2N3971КП902A
2N3972КП902A
2N4038КП329A
2N4091КП902A
2N4092КП902A
2N4220КП329Б
2N4220AКП329Б
2N4221КП333A
2N4221AКП329A
2N4222AКП329A
2N4224КП329A
2N4302КП329Б
2N4303КП329Б
2N4304КП329Б
2N4351КП333A
2N4352КП304A
2N4360КП301B
2N4393КП902A
2N4416AКП329A
2N4860КП333Б
2N4867КП333A
2N5078КП333A
2N5163КП307Ж
2N5458КП304A
2N5457КП307E
2N5459КП307Б
2N5654КП329Б
2N6656КП801Б
2SK11КП303Д
2SK12КП303Г
2SK15КП303Г
2SK68AКП329A
2SK21HКП306A
2SK39КП350A
BFW11КП333Б
BF244КП329А
BF245КП329А
BF256BКП329А
BF960КП327А
BF981КП327Б
BSV79КП333А
BSV80КП333А
BUZ20КП704А
CP652КП907B
E100КП333Б
E102КП333Б
E111КП329Б
E112КП333Б
IRF120КП922Б
MPF103КП307Б
MPF102КП303E
M103КП304A
TIS68КП307E
UC714КП329Б
U1897EКП333A

↑ Подытожим

Для выбора ключевого транзистора необходимо:

  1. Всегда помнить о неидеальности условий окружающей среды
  2. Использовать в расчете параметры наихудших экземпляров
  3. Всегда оставлять запас и место для маневров
  4. Иметь ввиду тепловые изменения параметров
  5. Не давать кристаллу перегреваться
  6. Не допускать перенапряжения из-за плохой сети

Все остальное считается и выбирается.

И вот здесь у меня для вас есть бонус.

Так как я всё же ленив, то сделал таблицу в Excel, которая сама всё посчитает. Остается только сделать вывод о пригодности или непригодности транзистора.

↑ Техническое задание

Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п.

Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.

Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.

Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.

Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.

Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.

↑ Файлы

Рейтинг
( 1 оценка, среднее 4 из 5 )
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Для любых предложений по сайту: [email protected]